比如在半導(dǎo)體失效分析、航空航天復(fù)合材料深層缺陷檢測(cè)、生物醫(yī)學(xué)無(wú)創(chuàng)監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，鎖相紅外技術(shù)能完成傳統(tǒng)技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的精細(xì)診斷，為關(guān)鍵領(lǐng)域的質(zhì)量控制與科研突破提供支撐。隨著技術(shù)的發(fā)展，目前已有研究通過(guò)優(yōu)化激勵(lì)方案、提升數(shù)據(jù)處理算法速度來(lái)改善檢測(cè)效率，未來(lái)鎖相紅外技術(shù)的局限性將進(jìn)一步被削弱，其應(yīng)用場(chǎng)景也將持續(xù)拓展。

回歸**賽道，致晟光電始終以半導(dǎo)體行業(yè)需求為導(dǎo)向，專注打造適配半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)全流程的失效分析解決方案，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域的中堅(jiān)力量 致晟光電的鎖相紅外解決方案支持自定義檢測(cè)參數(shù)，可適配不同封裝類型的半導(dǎo)體器件，兼容性更強(qiáng)。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺(tái)

致晟光電依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院的科研背景，在鎖相紅外應(yīng)用方面建立了深厚的學(xué)術(shù)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。目前，公司不僅面向產(chǎn)業(yè)客戶提供設(shè)備與解決方案，還積極與科研院所開展聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室合作，共同推動(dòng)熱學(xué)檢測(cè)與失效分析的前沿研究。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷演進(jìn)，先進(jìn)封裝與高功率器件的可靠性問(wèn)題愈發(fā)凸顯，鎖相紅外技術(shù)的應(yīng)用需求將持續(xù)擴(kuò)大。致晟光電將持續(xù)優(yōu)化自身產(chǎn)品性能，從提升分辨率、增強(qiáng)靈敏度，到實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化與智能化分析，逐步打造國(guó)產(chǎn)化gao duan檢測(cè)設(shè)備的biao gan。未來(lái)，公司希望通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)賦能，讓鎖相紅外走出實(shí)驗(yàn)室，真正成為產(chǎn)業(yè)可靠性檢測(cè)的標(biāo)配工具。 芯片用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)品牌排行鎖相成像助力微電子熱異常快速定位。

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)檢測(cè)方式，在多層電路板質(zhì)量檢測(cè)中展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。多層電路板由多個(gè)導(dǎo)電層與絕緣層交替疊加組成，層間通過(guò)過(guò)孔實(shí)現(xiàn)電氣連接，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，極易在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)層間短路、盲孔堵塞、絕緣層破損等缺陷，進(jìn)而影響電氣性能，甚至引發(fā)故障。通過(guò)電激勵(lì)方式，可在不同層級(jí)的線路中施加電流，使其在多層結(jié)構(gòu)中流動(dòng)，缺陷區(qū)域因電流分布異常而產(chǎn)生局部溫升。鎖相熱成像系統(tǒng)則可高靈敏度地捕捉這種細(xì)微溫度差異，實(shí)現(xiàn)對(duì)缺陷位置與類型的定位。例如，在檢測(cè)層間短路時(shí)，短路點(diǎn)處的溫度會(huì)高于周圍區(qū)域；盲孔堵塞則表現(xiàn)為局部溫度分布異常。相比傳統(tǒng)X射線檢測(cè)技術(shù)，鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)速度更快、成本更低，且能直觀呈現(xiàn)缺陷位置，助力企業(yè)提升多層電路板的質(zhì)量控制效率與良率。

從技術(shù)原理層面來(lái)看，鎖相紅外熱成像系統(tǒng)建立了一套完整的“熱信號(hào)捕捉—解析—成像”的工作鏈路。系統(tǒng)的單元為高性能紅外探測(cè)器，例如 RTTLIT P20 所搭載的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測(cè)器，能夠在中波紅外波段對(duì)極其微弱的熱輻射進(jìn)行高靈敏度捕捉。這種深制冷設(shè)計(jì)降低了本底噪聲，使得原本容易被掩蓋的細(xì)小溫度差異得以清晰呈現(xiàn)。與此同時(shí)，設(shè)備還融合了 InGaAs 微光顯微鏡模塊，從而在一次檢測(cè)過(guò)程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱輻射信號(hào)與光子發(fā)射的協(xié)同觀測(cè)。雙模信息的疊加不僅提升了缺陷識(shí)別的準(zhǔn)確性，也為復(fù)雜電路中的多維度失效機(jī)理分析提供了堅(jiān)實(shí)依據(jù)。通過(guò)這種架構(gòu)，工程師能夠在不破壞樣品的前提下，對(duì)潛在缺陷進(jìn)行更直觀和深入的探測(cè)，進(jìn)而為后續(xù)的工藝優(yōu)化和可靠性驗(yàn)證提供科學(xué)支撐。RTTLIT 以鎖相算法提取熱信號(hào)。

尤其在先進(jìn)制程芯片研發(fā)過(guò)程中，鎖相紅外熱成像系統(tǒng)能夠解析瞬態(tài)熱行為和局部功耗分布，為優(yōu)化電路布局、改善散熱方案提供科學(xué)依據(jù)。此外，該系統(tǒng)還可用于可靠性評(píng)估和失效分析，通過(guò)對(duì)不同環(huán)境和工況下器件的熱響應(yīng)進(jìn)行分析，為量產(chǎn)工藝改進(jìn)及產(chǎn)品穩(wěn)定性提升提供數(shù)據(jù)支撐。憑借高靈敏度、高空間分辨率和可靠的信號(hào)提取能力，鎖相紅外熱成像系統(tǒng)已經(jīng)成為半導(dǎo)體研發(fā)與失效分析中不可或缺的技術(shù)手段，為工程師實(shí)現(xiàn)精細(xì)化熱管理和產(chǎn)品優(yōu)化提供了有力保障。致晟 LIT 憑 0.0001℃靈敏度，能捕 IC 柵極漏電這類微小缺陷。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺(tái)

鎖相紅外可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)器件工作時(shí)的熱分布，及時(shí)發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)或工藝導(dǎo)致的熱隱患，縮短研發(fā)周期、提升產(chǎn)品良率。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺(tái)

在半導(dǎo)體器件失效分析與質(zhì)量檢測(cè)領(lǐng)域，鎖相紅外熱成像系統(tǒng)展現(xiàn)出不可替代的價(jià)值。半導(dǎo)體芯片在工作過(guò)程中，若存在漏電、短路、金屬互聯(lián)缺陷等問(wèn)題，會(huì)伴隨局部微弱的溫度異常，但這種異常往往被芯片正常工作熱耗與環(huán)境噪聲掩蓋，傳統(tǒng)紅外設(shè)備難以識(shí)別。而鎖相紅外熱成像系統(tǒng)通過(guò)向芯片施加周期性電激勵(lì)（如脈沖電壓、交變電流），使缺陷區(qū)域產(chǎn)生與激勵(lì)同頻的周期性熱響應(yīng)，再利用鎖相解調(diào)技術(shù)將該特定頻率的熱信號(hào)從背景噪聲中提取，精細(xì)定位缺陷位置并量化溫度變化幅度。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺(tái)