當前，AI大模型與高性能計算正以前所未有的速度推動HBM（高帶寬存儲器）技術(shù)爆發(fā)式增長。HBM3、HBM3E成為英偉達、AMD、華為等巨頭AI芯片的標配，全球需求激增，市場缺口持續(xù)擴大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對后端測試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復雜時序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測試設備難以勝任。國磊GT600測試機應勢而生，專為應對HBM時代**SoC測試難題而設計。它不是直接測試HBM芯片，而是**服務于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗證與量產(chǎn)測試，成為國產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測試墻”。AI邊緣計算SoC用于機器人、穿戴設備MCU+AI架構(gòu)芯片，GT600通過nA級PPMU、TMU支持端側(cè)AI低功耗可靠性測試。杭州國磊導電陽極絲測試系統(tǒng)廠家供應

每通道PPMU：芯片健康的“精密聽診器” 。杭州國磊GT600的每通道集成PPMU（參數(shù)測量單元），是其高精度測試的**。PPMU可在FVMI（強制電壓測電流）模式下，精確測量nA級靜態(tài)漏電流（Iddq），相當于檢測每秒流過數(shù)億個電子的微小電流。在手機芯片測試中，這能識別因工藝缺陷導致的“待機耗電”問題，確保續(xù)航達標。在FIMV（強制電流測電壓）模式下，可驗證電源調(diào)整率，防止芯片在高負載下電壓跌落導致死機。PPMU還支持快速哨兵測試（Quick Sentinel），在毫秒內(nèi)完成所有引腳的開路/短路檢測，大幅提升初篩效率。對于AI芯片，PPMU可逐核測量功耗，篩選出“能效比較好”**。這一“每引腳級”測量能力，讓杭州國磊GT600成為芯片可靠性的“***守門人”。杭州國磊高阻測試系統(tǒng)供應商國磊GT600SoC測試機向量響應存儲深度達128M，可完整捕獲HBM高速數(shù)據(jù)傳輸過程中的誤碼行為。

隨著智能手機進入AI時代，SoC的競爭已從單一CPU性能轉(zhuǎn)向“CPU+GPU+NPU”三位一體的綜合算力比拼。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，天璣9000系列憑借在AI能力上的前瞻布局，2024年出貨量同比增長60%，預計2025年將再翻一番。這一成就的背后，不**是架構(gòu)設計的**，更是對NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元）和AI工作負載深度優(yōu)化的結(jié)果。而這類高度集成的AISoC，對測試設備提出了前所未有的挑戰(zhàn)：高引腳數(shù)、多電源域、復雜時序、低功耗模式、混合信號模塊等，均需在量產(chǎn)前完成**驗證。國磊GT600測試機正是為此類**手機SoC量身打造的測試平臺，具備從功能到參數(shù)、從數(shù)字到模擬的全棧測試能力。

靈活的板卡配置適配多樣化智能駕駛芯片架構(gòu) 當前智能駕駛SoC廠商采用異構(gòu)計算架構(gòu)，不同廠商在I/O電壓、功耗、接口協(xié)議等方面存在***差異。杭州國磊GT600提供16個通用插槽，支持數(shù)字、模擬及混合信號板卡任意組合，并兼容多種VI浮動電源板卡（如GT-DPSMV08支持-2.5V~7V、1A輸出）。這種高度模塊化的設計使測試平臺能快速適配英偉達Orin、地平線征程、黑芝麻華山等不同架構(gòu)芯片的測試需求，無需為每款芯片重新開發(fā)整套測試硬件，***提升測試系統(tǒng)的復用率與投資回報率。國磊GT600提供測試向量轉(zhuǎn)換工具，支持從傳統(tǒng)模擬測試平臺遷移測試程序，降低工程師學習成本與導入周期。

5G/6G通信芯片的“時序顯微鏡” 5G/6G基站與終端芯片對信號時序精度要求極高，微小抖動即可導致通信中斷。杭州國磊GT600配備高精度TMU（時間測量單元），分辨率高達10ps（0.01納秒），相當于光在3毫米內(nèi)傳播的時間，能精細捕捉高速信號邊沿的微小偏移。這一能力對于驗證基帶芯片、射頻前端、AD/DA轉(zhuǎn)換器的時序一致性至關(guān)重要。杭州國磊GT600還可通過可選AWG板卡生成高保真模擬信號，測試芯片在復雜調(diào)制模式下的響應性能。其400MHz測試速率與100ps邊沿精度，確保能覆蓋PCIe、USB、MIPI等高速接口的協(xié)議測試需求。在通信技術(shù)快速迭代的背景下，杭州國磊GT600以“皮秒級”測量能力，為國產(chǎn)通信芯片的性能與穩(wěn)定性提供精細驗證，助力中國在6G賽道**占先機。靈活的分組測試模式，可單獨控制16通道為一組。杭州國磊高阻測試系統(tǒng)市場價格

國磊GT600可用于執(zhí)行電壓裕量測試（VoltageMargining），評估芯片在電壓波動下的穩(wěn)定性。杭州國磊導電陽極絲測試系統(tǒng)廠家供應

AI芯片在推理或訓練突發(fā)負載下，電流可在微秒級劇烈波動，易引發(fā)電壓塌陷（VoltageDroop）。國磊GT600SoC測試機支持高采樣率動態(tài)電流監(jiān)測，可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流（InrushCurrent）與工作過程中的瞬態(tài)功耗波形，幫助設計團隊優(yōu)化去耦電容布局與電源完整性（PI）設計。其128M向量響應存儲深度支持長時間功耗行為記錄，用于分析AI工作負載的能耗模式。現(xiàn)代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模塊，引腳數(shù)常超2000。國磊GT600支持**2048個數(shù)字通道與400MHz測試速率，可完整覆蓋AI芯片的I/O接口功能驗證。其512Sites高并行測試架構(gòu)**提升測試吞吐量，降低單顆芯片測試成本，滿足AI服務器芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求。
杭州國磊導電陽極絲測試系統(tǒng)廠家供應