AI芯片在推理或訓(xùn)練突發(fā)負(fù)載下，電流可在微秒級(jí)劇烈波動(dòng)，易引發(fā)電壓塌陷（VoltageDroop）。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高采樣率動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)，可捕獲電源門(mén)控開(kāi)啟瞬間的浪涌電流（InrushCurrent）與工作過(guò)程中的瞬態(tài)功耗波形，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化去耦電容布局與電源完整性（PI）設(shè)計(jì)。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度支持長(zhǎng)時(shí)間功耗行為記錄，用于分析AI工作負(fù)載的能耗模式?，F(xiàn)代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模塊，引腳數(shù)常超2000。國(guó)磊GT600支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋AI芯片的I/O接口功能驗(yàn)證。其512Sites高并行測(cè)試架構(gòu)**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足AI服務(wù)器芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求。
國(guó)磊GT600可選ALPG功能，生成地址/數(shù)據(jù)序列，用于測(cè)試集成了EEPROM或配置寄存器的模擬前端（AFE）芯片。杭州國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司依托**團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)積累，成功推出GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)專為應(yīng)對(duì)高阻和絕緣材料測(cè)試挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)。GM8800支持16~256通道分組測(cè)試，每組16通道**運(yùn)行，電阻檢測(cè)范圍跨足10^4~10^14Ω，電流實(shí)時(shí)檢測(cè)范圍0.1μA~500μA，檢測(cè)速度全通道可達(dá)8次/秒，采用完全屏蔽線纜，線纜標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度3.5米并可定制，有效抗干擾，保障信號(hào)完整性。系統(tǒng)內(nèi)置多重報(bào)警機(jī)制，涵蓋測(cè)試停機(jī)、偏置電壓超限、溫濕度越界等，結(jié)合外置1V~3000V高偏置電壓與1MΩ保護(hù)電阻，既**又靈活。該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于PCB板離子遷移、導(dǎo)電膠粘劑、樹(shù)脂材料絕緣性能評(píng)價(jià)等領(lǐng)域，性能比肩國(guó)際**設(shè)備如英國(guó)GEN3，但擁有更優(yōu)的性價(jià)比和更快的售后響應(yīng)，真正助力用戶實(shí)現(xiàn)測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化替代與供應(yīng)鏈自主可控。杭州CAF測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)公司國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)加載Pattern，驗(yàn)證SoC邏輯（如CPU、NPU、DSP）的功能正確性與邏輯測(cè)試及向量測(cè)試。

當(dāng)前，AI大模型與高性能計(jì)算正以前所未有的速度推動(dòng)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）技術(shù)爆發(fā)式增長(zhǎng)。HBM3、HBM3E成為英偉達(dá)、AMD、華為等巨頭AI芯片的標(biāo)配，全球需求激增，市場(chǎng)缺口持續(xù)擴(kuò)大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對(duì)后端測(cè)試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復(fù)雜時(shí)序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以勝任。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)應(yīng)勢(shì)而生，專為應(yīng)對(duì)HBM時(shí)代**SoC測(cè)試難題而設(shè)計(jì)。它不是直接測(cè)試HBM芯片，而是**服務(wù)于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試，成為國(guó)產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國(guó)芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測(cè)試墻”。

在現(xiàn)代手機(jī)SoC中，高速接口如LPDDR5內(nèi)存、PCIe4.0存儲(chǔ)、USB3.2/4.0數(shù)據(jù)傳輸?shù)?，已成為性能瓶頸的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其協(xié)議復(fù)雜、時(shí)序嚴(yán)苛，對(duì)測(cè)試設(shè)備的速率和深度提出極高要求。國(guó)磊GT600支持400MHz測(cè)試速率，可精細(xì)模擬高速信號(hào)邊沿與時(shí)鐘同步，確保接口在極限頻率下穩(wěn)定工作；其128M超大向量深度，足以容納完整的AI大模型推理流程、多任務(wù)并發(fā)調(diào)度等長(zhǎng)周期測(cè)試用例，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足頻繁加載數(shù)據(jù)導(dǎo)致的測(cè)試中斷或覆蓋不全，真正實(shí)現(xiàn)“一次加載，全程跑完”，保障功能驗(yàn)證的完整性與可靠性。國(guó)磊GT600憑高精度參數(shù)測(cè)量、多域電源控制與可編程軟件平臺(tái)，支持從90nm到7nm主流工藝節(jié)點(diǎn)電源門(mén)控測(cè)試。

針對(duì)2.5D/3D封裝底部填充膠，在100V偏壓與85%RH條件下執(zhí)行CAF測(cè)試。GM8800系統(tǒng)突破性實(shí)現(xiàn)10??Ω超高阻測(cè)量（精度±10%），可檢測(cè)0.01%吸濕率導(dǎo)致的絕緣衰減：1、空間定位：電阻突變頻譜分析功能，定位封裝內(nèi)部±0.5mm級(jí)CAF生長(zhǎng)點(diǎn)。2、過(guò)程監(jiān)控：1~600分鐘可調(diào)間隔捕捉阻值從10?Ω到10??Ω躍遷曲線。3、熱管理：溫度傳感器同步記錄固化放熱反應(yīng)，優(yōu)化回流焊參數(shù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表明，該方案使FCBGA封裝良率提升22%，年節(jié)省質(zhì)損成本超800萬(wàn)元。國(guó)磊半導(dǎo)體致力于為全球客戶提供高性能的測(cè)試解決方案。杭州國(guó)磊GEN3測(cè)試系統(tǒng)市價(jià)

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)尤其適用于高引腳數(shù)、高集成度、混合信號(hào)特征明顯的先進(jìn)芯片。杭州國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

AI眼鏡的崛起標(biāo)志著消費(fèi)電子向“感知+計(jì)算+交互”一體化演進(jìn)。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信號(hào)器件，測(cè)試難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)MCU。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借nA級(jí)電流測(cè)量、高精度模擬測(cè)試、10ps時(shí)序分析、高并行架構(gòu)與開(kāi)放軟件平臺(tái)，成為AI眼鏡SoC從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)落地的關(guān)鍵支撐。它不**滿足當(dāng)前40/28nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)試需求，更具備向更先進(jìn)工藝延伸的能力。在AI終端加速滲透的浪潮中，GT600為國(guó)產(chǎn)可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的測(cè)試解決方案，助力中國(guó)智造**占下一代人機(jī)交互入口。杭州國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格