國瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計、原型制作、性能測試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、氮化硅陶瓷）、特殊結(jié)構(gòu)（如多腔體集成、異形加熱面）的加熱盤。配備專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊（含材料學(xué)、熱力學(xué)、機械設(shè)計工程師），采用 ANSYS 溫度場仿真軟件優(yōu)化設(shè)計方案，原型樣品交付周期**短 10 個工作日，且提供 3 次**方案迭代。已為國內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商定制**加熱盤，如為某企業(yè)開發(fā)的真空腔體集成加熱盤，實現(xiàn)加熱與勻氣功能一體化，滿足其特殊制程的空間限制需求。表面特殊處理，耐腐蝕易清潔，適用化學(xué)食品領(lǐng)域。奉賢區(qū)半導(dǎo)體加熱盤

國瑞熱控半導(dǎo)體封裝加熱盤，聚焦芯片封裝環(huán)節(jié)的加熱需求，為鍵合、塑封等工藝提供穩(wěn)定熱源。采用鋁合金與云母復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼具輕質(zhì)特性與優(yōu)良絕緣性能，加熱面功率密度可根據(jù)封裝規(guī)格調(diào)整，比較高達(dá) 2W/CM?。通過優(yōu)化加熱元件排布，使封裝區(qū)域溫度均勻性達(dá) 95% 以上，確保焊料均勻熔融與鍵合強度穩(wěn)定。設(shè)備配備快速響應(yīng)溫控系統(tǒng)，從室溫升至 250℃*需 8 分鐘，且溫度波動小于 ±2℃，適配不同封裝材料的固化需求。表面采用防氧化處理，使用壽命超 30000 小時，搭配模塊化設(shè)計，可根據(jù)封裝生產(chǎn)線布局靈活組合，為半導(dǎo)體封裝的高效量產(chǎn)提供支持。靜安區(qū)探針測試加熱盤廠家電熱轉(zhuǎn)換效率高，降低運營成本，實現(xiàn)綠色生產(chǎn)。

依托強大的研發(fā)與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導(dǎo)體加熱盤定制服務(wù)，滿足特殊工藝與設(shè)備的個性化需求?？筛鶕?jù)客戶提供的圖紙與參數(shù)，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋 4 英寸至 18 英寸晶圓規(guī)格。材質(zhì)可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復(fù)合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設(shè)定。通過三維建模與溫度場仿真優(yōu)化設(shè)計方案，原型樣品交付周期縮短至 15 個工作日，批量生產(chǎn)前提供 2 臺樣品進(jìn)行工藝驗證。已為長鑫存儲、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)定制**加熱盤，適配其自主研發(fā)設(shè)備，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈完善。

國瑞熱控針對氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計 8 組**加熱模塊，通過 PID 精密控制實現(xiàn) ±0.5℃的控溫精度，精細(xì)匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）。設(shè)備配備惰性氣體導(dǎo)流通道，減少反應(yīng)氣體湍流導(dǎo)致的薄膜缺陷，與中微公司 MOCVD 設(shè)備聯(lián)合調(diào)試，使外延層厚度均勻性誤差控制在 3% 以內(nèi)，為 5G 射頻器件、電力電子器件量產(chǎn)提供**溫控支持。無錫國瑞熱控專業(yè)定制加熱盤，均勻發(fā)熱，壽命超長，為實驗與生產(chǎn)提供穩(wěn)定可靠的熱源解決方案，信賴之選！

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá) ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設(shè)計雙層隔熱結(jié)構(gòu)，***層阻隔熱量向下傳導(dǎo)，第二層快速散熱避免設(shè)備腔體溫升過高。配備精細(xì)壓力控制模塊，可根據(jù)鍵合類型調(diào)整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。專業(yè)定制加熱盤，快速升溫壽命長，滿足半導(dǎo)體**科研需求。黃浦區(qū)刻蝕晶圓加熱盤非標(biāo)定制

熱解決方案伙伴，深入探討共同優(yōu)化工藝熱管理環(huán)節(jié)。奉賢區(qū)半導(dǎo)體加熱盤

借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理，國瑞熱控開發(fā)半導(dǎo)體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受 3000℃以上局部高溫，配合半導(dǎo)體激光與二氧化碳激光協(xié)同加熱，實現(xiàn) “表面強攻 + 內(nèi)部滲透” 的加熱效果。加熱區(qū)域直徑可在 10mm-200mm 間調(diào)節(jié)，溫度響應(yīng)時間小于 1 秒，控溫精度 ±1℃，支持脈沖式加熱模式。設(shè)備配備紅外測溫與激光功率閉環(huán)控制系統(tǒng)，在鎢合金、鈮合金等耐熱材料研發(fā)中應(yīng)用，為航空航天等**領(lǐng)域提供極端環(huán)境模擬工具。奉賢區(qū)半導(dǎo)體加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及客戶資源，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評價對我們而言是**好的前進(jìn)動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！