偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

亮點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

測(cè)試范圍：故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn)測(cè)試內(nèi)容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區(qū)晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 使用微光顯微鏡，可大幅提升故障點(diǎn)確定精度。制冷微光顯微鏡成像

致晟光電的EMMI微光顯微鏡已廣泛應(yīng)用于集成電路制造、封測(cè)、芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證等環(huán)節(jié)。在失效分析中，它可以快速鎖定ESD損傷點(diǎn)、漏電通道、局部短路以及工藝缺陷，從而幫助客戶在短時(shí)間內(nèi)完成問題定位并制定改進(jìn)方案。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，如3D-IC、Fan-out封裝，EMMI的非破壞檢測(cè)能力尤為重要，可在不影響器件結(jié)構(gòu)的情況下進(jìn)行檢測(cè)。致晟光電憑借靈活的系統(tǒng)定制能力，可根據(jù)不同企業(yè)需求調(diào)整探測(cè)波段、成像速度與臺(tái)面尺寸，為國內(nèi)外客戶提供定制化解決方案，助力提高產(chǎn)品可靠性與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力?？蒲杏梦⒐怙@微鏡24小時(shí)服務(wù)光子信號(hào)揭示電路潛在問題。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷，如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。當(dāng)然，部分情況下也會(huì)出現(xiàn)樣品本身的亮點(diǎn)，如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；4.biaseddiodes(breakdown)等出現(xiàn)亮點(diǎn)時(shí)應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點(diǎn)另外也會(huì)出現(xiàn)偵測(cè)不到亮點(diǎn)的情況，如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導(dǎo)電通路等。若一些亮點(diǎn)被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現(xiàn)高亮發(fā)光斑點(diǎn)，形成極高的視覺對(duì)比度。公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)在圖像采集算法中引入了多幀累積與動(dòng)態(tài)背景抑制技術(shù)，使得信號(hào)在極低亮度下仍能清晰顯現(xiàn)。該設(shè)備能夠捕捉納秒至毫秒級(jí)的瞬態(tài)光信號(hào)，適用于分析ESD擊穿、閂鎖效應(yīng)、擊穿電流路徑等問題。與傳統(tǒng)顯微技術(shù)相比，致晟光電的系統(tǒng)不僅分辨率更高，還能結(jié)合鎖相模式進(jìn)行時(shí)間相關(guān)分析，為失效機(jī)理判斷提供更多維度數(shù)據(jù)。這種成像優(yōu)勢(shì)，使EMMI成為公司在半導(dǎo)體失效分析業(yè)務(wù)中相當(dāng)有代表性的**產(chǎn)品之一。相較動(dòng)輒上千萬的進(jìn)口設(shè)備，我們方案更親民。

短路是芯片失效中常見且重要的誘發(fā)因素。當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，受影響區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，導(dǎo)致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號(hào)，并通過對(duì)光強(qiáng)分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測(cè)試過程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

光發(fā)射顯微的非破壞性特點(diǎn)，確保檢測(cè)過程不損傷器件，滿足研發(fā)與量產(chǎn)階段的質(zhì)量管控需求。制冷微光顯微鏡成像

微光顯微鏡可結(jié)合紅外探測(cè)，實(shí)現(xiàn)跨波段復(fù)合檢測(cè)。制冷微光顯微鏡成像

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長(zhǎng)捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對(duì)比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測(cè)，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實(shí)際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補(bǔ)充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對(duì)目標(biāo)位置進(jìn)行精細(xì)剖析與結(jié)構(gòu)驗(yàn)證，從而形成完整的分析鏈路。
制冷微光顯微鏡成像