與傳統(tǒng)的 emmi 相比，thermal emmi 在檢測復雜半導體器件時展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。傳統(tǒng) emmi 主要聚焦于光信號檢測，而 thermal emmi 增加了溫度監(jiān)測維度，能更***地反映缺陷的物理本質(zhì)。例如，當芯片出現(xiàn)微小短路缺陷時，傳統(tǒng) emmi 可檢測到短路點的微光信號，但難以判斷短路對器件溫度的影響程度；而 thermal emmi 不僅能定位微光信號，還能通過溫度分布圖像顯示短路區(qū)域的溫升幅度，幫助工程師評估缺陷對器件整體性能的影響，為制定修復方案提供更***的參考。熱紅外顯微鏡借助圖像分析技術(shù)，直觀展示電子設(shè)備熱分布狀況 。低溫熱熱紅外顯微鏡設(shè)備制造

熱紅外顯微鏡的分辨率不斷提升，推動著微觀熱成像技術(shù)的發(fā)展。早期的熱紅外顯微鏡受限于光學系統(tǒng)和探測器性能，空間分辨率通常在幾十微米級別，難以滿足微觀結(jié)構(gòu)的檢測需求。隨著技術(shù)的進步，采用先進的紅外焦平面陣列探測器和超精密光學設(shè)計的熱紅外顯微鏡，分辨率已突破微米級，甚至可達亞微米級別。這使得它能清晰觀察到納米尺度下的溫度分布，例如在研究納米線晶體管時，可精細檢測單個納米線的溫度變化，為納米電子器件的熱管理研究提供前所未有的細節(jié)數(shù)據(jù)。非制冷熱紅外顯微鏡設(shè)備熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法，三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。

作為國內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計、探測器匹配、樣品平臺穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機性能穩(wěn)定且易于維護。更重要的是，致晟光電深度參與國內(nèi)封測廠、晶圓廠及科研機構(gòu)的失效分析項目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗證，還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來料檢測。這種從實驗室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測效率，致晟光電正推動 Thermal EMMI 技術(shù)在國內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài)，為本土芯片制造保駕護航。

功率器件在工作時往往需要承受高電壓和大電流，因此其熱管理問題直接影響到產(chǎn)品的性能與壽命。常規(guī)熱測試手段通常無法兼顧分辨率和動態(tài)響應(yīng)速度，難以滿足現(xiàn)代功率器件的研發(fā)需求。熱紅外顯微鏡的出現(xiàn)，彌補了這一空白。它能夠在毫秒級時間分辨率下，實時捕捉器件運行過程中產(chǎn)生的熱信號，從而動態(tài)監(jiān)控熱量的分布與傳導路徑。通過對這些熱數(shù)據(jù)的分析，工程師可以精細識別出熱點區(qū)域，并針對性地優(yōu)化散熱設(shè)計。與傳統(tǒng)方法相比，熱紅外顯微鏡不僅提供了更高精度的結(jié)果，還能在不***件正常運行的前提下進行測試，真正實現(xiàn)了非破壞性檢測。這種能力極大提升了功率器件可靠性驗證的效率，幫助企業(yè)縮短研發(fā)周期，降低失效風險，為新能源、汽車電子等產(chǎn)業(yè)提供了堅實的技術(shù)支撐。評估 PCB 走線布局、過孔設(shè)計對熱分布的影響，指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。

芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放**穿的芯片、過壓過流燒斷的導線，還是過熱導致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測設(shè)備能捕捉到細微的失效信號，從電氣應(yīng)力到熱力學問題，從機械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會給出詳細的分析報告。不管是研發(fā)時的小故障，還是量產(chǎn)中的質(zhì)量問題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時來找我們呀！????定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。自銷熱紅外顯微鏡分析

監(jiān)測微流控芯片、生物傳感器的局部熱反應(yīng)，研究生物分子相互作用的熱效應(yīng)。低溫熱熱紅外顯微鏡設(shè)備制造

對于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進行異常排查與確認，不僅耗時長、人工成本高，還存在對樣品造成不可逆損傷的風險。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過檢測失效點熱輻射在傳導過程中的相位差，推算出失效點在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點所在的芯片層級，實現(xiàn)高效、精細的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。低溫熱熱紅外顯微鏡設(shè)備制造