硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法,發(fā)散的高斯光束從激光器芯片出射,經(jīng)過(guò)耦合透鏡進(jìn)行聚焦;聚焦過(guò)程中光路經(jīng)過(guò)隔離器進(jìn)入反射棱鏡,經(jīng)過(guò)反射棱鏡的發(fā)射,光路發(fā)生彎折并以一定的角度入射到硅光芯片的光柵耦合器上面,耦合進(jìn)硅光芯片。本發(fā)明所提供的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu),其無(wú)需使用超高精度的耦合對(duì)準(zhǔn)設(shè)備,耦合過(guò)程易于實(shí)現(xiàn),耦合效率更高,且研發(fā)成本較低;激光器與硅光芯片耦合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,采用傳統(tǒng)TO工藝封裝光源,氣密性封裝,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有比較強(qiáng)的可生產(chǎn)性,比較高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,適用于400G硅光大功率光源應(yīng)用。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：具有在單周期內(nèi)操作的多個(gè)硬件地址產(chǎn)生器。上海多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對(duì)于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過(guò)構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。上海多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)IC測(cè)試架是一種非常有用的測(cè)試設(shè)備，它可以有效地測(cè)試集成電路的功能、性能和可靠性，從而確保產(chǎn)品質(zhì)量。

說(shuō)到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要因素，功率飄通常與耦合板的位置有關(guān)，因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置，不可隨便移動(dòng)，此外部分機(jī)型需要使用專屬版本，又或者說(shuō)耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測(cè)儀和機(jī)頭本身了。結(jié)尾說(shuō)一說(shuō)耦合不過(guò)站的故障，為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象，在耦合的過(guò)程中會(huì)通過(guò)網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過(guò)站，若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過(guò)站的機(jī)頭，則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞，需要卸載后重新安裝，排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后，則可能是MES系統(tǒng)本身的問(wèn)題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無(wú)法上傳而導(dǎo)致不過(guò)站的現(xiàn)象的。

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來(lái)大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)：高效。

在光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題，芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟，現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光，并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個(gè)測(cè)試站。具體的，所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)光纖，設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過(guò)光纖連接到光功率計(jì)，就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過(guò)光線連接到光譜儀，就可以測(cè)試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：測(cè)試精度高。上海自動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)：強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行電流加載。上海多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過(guò)測(cè)試點(diǎn)圖形與測(cè)試點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動(dòng)左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測(cè)試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測(cè)試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺(tái)及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,對(duì)用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測(cè)試的便利性。上海多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)