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既然已經(jīng)有超低導(dǎo)通電阻的功率MOS管，比如IRF1404 ，12v時(shí)只有三點(diǎn)幾mΩ。。。10A電流下耗散功率不到0.4W
還有更強(qiáng)的管例如　IPB009N03L　4.5V低壓時(shí)導(dǎo)通內(nèi)阻也只有一點(diǎn)幾毫歐。12v就小于1毫歐了，這樣的mos管應(yīng)對(duì)十幾安陪的電流根本是小菜一碟，連散熱都不用。
而且我自己也試過用光耦控制mos管，用起來就像完美的固態(tài)繼電器，但這畢竟是分立元件，在某些空間狹小的設(shè)計(jì)里很不方便。
令我更糾結(jié)的是，市面上所能找到的所謂光耦繼電器，大多1A電流都無法承受，而且導(dǎo)通電阻居然是歐姆級(jí)的?！?br>更令我糾結(jié)的是，市面上能找到的**能承受大功率的“固態(tài)繼電器”不僅體積巨大，而且居然幾乎都是可控硅控制的，可控硅那接近1V的壓降非常的然人哭笑不得。
于是，我的疑問誕生了。為什么就沒有人生產(chǎn)mosfet功率固態(tài)繼電器呢？
為什么把一只超低內(nèi)阻mos管和一顆光耦封裝在一起呢么難呢？
用分立元件組合的成本不過幾元。
為什么就沒有人生產(chǎn)一體封裝。
國(guó)外有沒有我不知道。
反正這邊是聽都沒聽過。
請(qǐng)不要草草回答，我是認(rèn)真的。請(qǐng)幫我分析一下，為什么目前沒有這種東西。。。