場(chǎng)效應(yīng)管是IGBT嗎?
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不是,場(chǎng)效應(yīng)管是MOSFET,而IGBT是MOSFET和GTR(大功率晶體管)復(fù)合而成的器件.柵極是MOSFET,而C,E極是GTR.
IGBT兼具二者的優(yōu)點(diǎn):驅(qū)動(dòng)象MOSFET一樣容易,開(kāi)關(guān)速度可達(dá)幾十KHz;電流象GTR一樣大,可達(dá)上千安培.現(xiàn)在IGBT的使用面很廣.
MOSFET電流做不大的,但開(kāi)關(guān)速度很高,現(xiàn)主要用在中小功率的開(kāi)關(guān)電源上.
IGBT兼具二者的優(yōu)點(diǎn):驅(qū)動(dòng)象MOSFET一樣容易,開(kāi)關(guān)速度可達(dá)幾十KHz;電流象GTR一樣大,可達(dá)上千安培.現(xiàn)在IGBT的使用面很廣.
MOSFET電流做不大的,但開(kāi)關(guān)速度很高,現(xiàn)主要用在中小功率的開(kāi)關(guān)電源上.
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